英特尔美光公布新存储芯片速度是现有闪存千倍

英特尔和美光称，他们计划在明年开始销售一种新型存储芯片。该芯片的速度最高可达到当前多数移动设备所用NAND闪存芯片的1000倍，可存储的数据容量是主流DRAM内存芯片的10倍。

　　这项技术名为3D Xpoint，虽然处理速度上还无法十分接近DRAM芯片，但是像NAND闪存芯片一样，即便在断电后它仍可以保存数据。英特尔和美光并未披露太多关于3D Xpoint的技术细节，包括他们使用的关键材料，但表示使用了一种独特方式来存储数据。

　　英特尔和美光高管预计，新芯片的速度将催生新型应用，令业界受益匪浅，特别是那些功能模式建立在大量数据基础之上的应用，比如语音识别、金融诈骗侦测以及基因组学。

　　“这确实是一项革命性技术，”美光CEO马克·德肯(Mark Durcan)周二在技术发布活动上表示。英特尔高级副总裁鲍勃·克鲁克(Rob Crooke)称：“这是一项很多人认为不可能实现的技术。”

　　但是这项新技术的重要性和独创性可能保守争议。近几年来，很多其他公司都已经宣布在存储芯片开发上取得了重要进展。创业公司Crossbar战略营销和商业开发副总裁萨尔文·杜波斯(Sylvain Dubois)表示，英特尔和美光似乎仿效了其电阻式RAM技术的元素。“这听起来非常像我们已拥有的技术，”杜波斯称。

　　Everspin Technologies等其他公司也相信，他们在为稳定数据存储芯片提供DRAM级速度上已抢占先机。

　　英特尔和美光计划初期生产能够存储128Gb数据的双层芯片(two-layer chip)，这一存储容量和现有的部分NAND芯片相当。随着在芯片中堆叠更多电路，英特尔和美光计划在日后提升芯片的存储容量。

　　参加该技术发布活动的分析师周二表示，硬件设计商需要时间来决定如何或是否使用这项技术。英特尔和美光称，现有技术为产品提供的速度提升远小于新型芯片。

英特尔美光公布新存储芯片 速度是现有闪存千倍